光學薄膜可以采用物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)和化學液相沉積(CLD)三種技術來制備.

1、物理氣相沉積(PVD)

PVD需要使用真空鍍膜機，制造成本高，但膜層厚度可以精確控制，膜層強度好，目前已被廣泛采用.在PVD法中，根據膜料氣化方式的不同，又分為熱蒸發(fā)、濺射、離子鍍及離子輔助鍍技術.其中，光學薄膜主要采用熱蒸發(fā)及離子輔助鍍技術制造，濺射及離子鍍技術用于光學薄膜制造的工藝是近幾年才開始的.

1.1熱蒸發(fā)

光學薄膜器件主要采用真空環(huán)境下的熱蒸發(fā)方法制造，此方法簡單、經濟、操作方便.盡管光學薄膜制備技術得到長足發(fā)展，但是真空熱蒸發(fā)依然是最主要的沉積手段，當然熱蒸發(fā)技術本身也隨著科學技術的發(fā)展與時俱進.?在真空室中，加熱蒸發(fā)容器中待形成膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸汽流，入射到固體(稱為襯底或基片)表面，凝結形成固態(tài)薄膜的方法.

熱蒸發(fā)的三種基本過程：由凝聚相轉變?yōu)闅庀嗟南嘧冞^程；氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基片之間的運輸，即這些粒子在環(huán)境氣氛中的飛行過程；蒸發(fā)原子或分子在基片表面的沉積過程.

1.2濺射

濺射指用高速正離子轟擊膜料表面，通過動量傳遞，使其分子或原子獲得足夠的動能而從靶表面逸出(濺射),在被鍍件表面凝聚成膜.

與蒸發(fā)鍍膜相比，其優(yōu)點是：膜層在基片上的附著力強，膜層純度高，可同時濺射不同成分的合金膜或化合物；缺點是：需制備專用膜料靶，靶利用率低.

濺射的方式有三種：二級濺射、三級/四級濺射、射頻濺射.

1.3離子鍍

離子鍍兼有熱蒸發(fā)的高成膜速率和濺射高能離子轟擊獲得致密膜層的雙優(yōu)效果，離子鍍膜層附著力強、致密.離子鍍常見類型：蒸發(fā)源和離化方式.

特點：

a、膜附著力強.這是由注入和濺射所致.

b、繞鍍性好.原理上，電力線所到之處皆可鍍上膜層，有利于面形復雜零件膜層的鍍制.

c、膜層致密.濺射破壞了膜層柱狀結構的形成.

d、成膜速率高.與熱蒸發(fā)的成膜速率相當.

e、可在任何材料的工作上鍍膜.絕緣體可施加高頻電場.

1.4粒子輔助鍍

在熱蒸發(fā)鍍膜技術中增設離子發(fā)生器—離子源，產生離子束，在熱蒸發(fā)進行的同時，用離子束轟擊正在生長的膜層，形成致密均勻結構(聚集密度接近于1),使膜層的穩(wěn)定性提高，達到改善膜層光學和機械性能.

離子輔助鍍技術與離子鍍技術相比，薄膜的光學性能更佳，膜層的吸收減少，波長漂移極小，牢固度好，該技術適合室溫基底和二氧化鋯、二氧化鈦等高熔點氧化物薄膜的鍍制，也適合變密度薄膜、優(yōu)質分光鏡和高性能濾光片的鍍制.

2、化學氣相沉積(CVD)

化學氣相沉積就是利用氣態(tài)先驅反應物，通過原子、分子間化學反應的途徑來生成固態(tài)薄膜的技術.

CVD一般需要較高的沉積溫度，而且在薄膜制備前需要特定的先驅反應物，在薄膜制備過程中也會產生可燃、有毒等一些副產物.但CVD技術制備薄膜的沉積速率一般較高.

3、化學液相沉積(CLD)

CLD工藝簡單，制造成本低，但膜層厚度不能精確控制，膜層強度差，較難獲得多層膜，還存在廢水廢氣造成的污染問題，已很少使用.